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Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

發(fā)布時間：2026-02-25 09:57:09     瀏覽：197

　　Onsemi NTTFS6H860NL是一款針對高效能電源管理應(yīng)用優(yōu)化的N溝道功率MOSFET器件，特別適合空間受限的現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計。其核心競爭力體現(xiàn)在將80V耐壓能力與極低導(dǎo)通電阻(最低16.5mΩ)集成于業(yè)界領(lǐng)先的3.3mm×3.3mm微型封裝中，為設(shè)計工程師提供了功率密度與能效的完美平衡方案。

Onsemi功率MOSFET NTTFS6H860NLTAG

　　關(guān)鍵規(guī)格參數(shù)

　　漏源擊穿電壓(V(BR)DSS)：80V

　　連續(xù)漏極電流(ID)：30A

　　最大導(dǎo)通電阻(RDS(on))：20 (@10V) / 26 (@4.5V)mΩ

　　最大柵源電壓(VGS)：±20V

　　脈沖漏極電流(IDM)：122A

　　工作溫度范圍：-55至+175°C

　　尺寸: 3.3×3.3mm(WDFN8)

　　功率耗散(最大值)：3.1W(Ta)，42W(Tc)

　　典型應(yīng)用

　　電源轉(zhuǎn)換：DC-DC/AC-DC模塊

　　電機驅(qū)動：無人機/機器人控制器

　　快充設(shè)備：65W USB PD充電器

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品，歡迎咨詢了解。

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