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安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來

發布時間：2025-11-05 09:01:05     瀏覽：291

　　為什么選擇SiC?

　　相比傳統硅器件，碳化硅(SiC)具有明顯優勢：

　　耐壓更高(10倍于硅)

　　耐溫更好(3倍于硅)

　　發熱更低

　　開關更快

安森美SiC MOSFET技術引領高效能源的未來

　　安森美(onsemi) SiC MOSFET的核心優勢

　　安森美最新推出的1200V/900V SiC MOSFET系列(如NTHL020N120SC1)展現出顯著的技術亮點：

　　超低導通電阻(RDSon)：大幅降低傳導損耗

　　優化的柵極驅動(Rg=1.81Ω)：實現更快開關速度

　　無閾值電壓漂移：長期穩定性優于競品

　　高dv/dt耐受能力(>100V/ns)：抗干擾性強

　　應用案例：在太陽能逆變器中，采用SiC MOSFET可降低系統損耗達30%，效率輕松突破98%。

1200V/900V SiC MOSFET

　　主要應用場景

　　1. 太陽能逆變器

　　特點：效率更高(>98%)、體積更小

　　趨勢：

　　小型逆變器：采用SiC分立器件

　　大型逆變器：逐步轉向全SiC模塊

　　2. 電動車充電

　　快充樁：必須使用SiC

　　充電更快

　　設備更小

　　發熱更少

　　典型案例：特斯拉超充已全面采用SiC

安森美SiC MOSFET

深圳市立維創展科技有限公司優勢提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉換器模塊及碳化硅(SiC)產品，歡迎咨詢了解。

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