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　　安森美(onsemi)的EliteSiC系列是專(zhuān)為工業(yè)和能源應(yīng)用設(shè)計(jì)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，涵蓋二極管、MOSFET、混合模塊和全SiC模塊。該系列憑借高效率、高功率密度、低損耗及高溫穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、電動(dòng)汽車(chē)充電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域，助力客戶(hù)優(yōu)化系統(tǒng)性能并降低總體成本。

　　1、 EliteSiC Diodes(碳化硅二極管)

　　關(guān)鍵參數(shù)

　　電壓等級(jí)：650V / 1200V / 1700V

　　封裝類(lèi)型：DPAK-3 / TO-252-LD / TO-247-3L等

　　工作溫度：最高175°C(TJMAX)

　　主要特點(diǎn)

　　 無(wú)反向恢復(fù)(QRR)——降低開(kāi)關(guān)損耗，提高效率

　　 低正向壓降(VF)——減少傳導(dǎo)損耗

　　溫度無(wú)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性——確保高溫下穩(wěn)定運(yùn)行

　　 高浪涌和雪崩能力——增強(qiáng)系統(tǒng)可靠性

　　典型應(yīng)用

　　太陽(yáng)能逆變器(PV)

　　不間斷電源(UPS)

　　工業(yè)電源

　　2、 EliteSiC MOSFETs(碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管)

　　關(guān)鍵參數(shù)

　　電壓等級(jí)：650V / 900V / 1200V / 1700V

　　封裝類(lèi)型：D2PAK-7(TO-263-7L HV)等

　　主要特點(diǎn)

　　 超低柵極電荷(Qg)——減少驅(qū)動(dòng)損耗

　　 低有效輸出電容(Coss)——提升開(kāi)關(guān)速度

　　 100% UIL測(cè)試——確保器件一致性

　　175°C高溫運(yùn)行能力——適應(yīng)嚴(yán)苛環(huán)境

　　典型應(yīng)用

　　電動(dòng)汽車(chē)(EV)充電樁

　　服務(wù)器電源(PSU)

　　電機(jī)驅(qū)動(dòng)

　　3、 EliteSiC Hybrid Modules(混合模塊)

　　關(guān)鍵參數(shù)

　　電壓等級(jí)：650V / 1000V / 1200V / 1700V

　　模塊類(lèi)型：

　　T型NPC逆變器(Split NPC)

　　I型NPC(1000V, 350A/450A IGBT + 1200V, 100A SiC Diode)

　　3通道Boost(1000V, 150A IGBT)

　　主要特點(diǎn)

　   SiC二極管 + 快速開(kāi)關(guān)IGBT——優(yōu)化系統(tǒng)效率

　　 低熱阻基板——增強(qiáng)散熱能力

　　 引腳兼容設(shè)計(jì)——便于升級(jí)替換

　　典型應(yīng)用

　　工業(yè)變頻器

　　風(fēng)電變流器

　　4、EliteSiC Full Modules(全SiC模塊)

　　關(guān)鍵參數(shù)

　　電壓等級(jí)：900V / 1200V

　　模塊類(lèi)型：

　　Q0 / Q1 Boost模塊

　　F1 / F2模塊(集成電容，降低電壓震蕩)

　　主要特點(diǎn)

　　 比溝槽MOSFET更低熱阻——提高散熱效率

　　 負(fù)柵極電壓驅(qū)動(dòng)——簡(jiǎn)化控制設(shè)計(jì)

　　 標(biāo)準(zhǔn)化引腳布局——兼容不同RDS(on)需求

　　典型應(yīng)用

　　儲(chǔ)能系統(tǒng)(ESS)

　　軌道交通牽引系統(tǒng)

深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢(shì)提供Onsemi的MOSFETs、AC-DC/DC-DC電源轉(zhuǎn)換器模塊及碳化硅(SiC)產(chǎn)品，歡迎咨詢(xún)了解。