DEI1016/DEI1016A/DEI1016B ARINC429收發(fā)器
發(fā)布時(shí)間:2025-10-11 08:55:59 瀏覽:313
DEI1016/DEI1016A/DEI1016B 是由Device Engineering Incorporated 公司生產(chǎn)的一款 ARINC 429 串行收發(fā)器系列,主要用于航空電子設(shè)備中的數(shù)據(jù)傳輸。
DEI1016 系列提供了一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)航空電子串行數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線與 16 位寬數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)總線之間的接口。該接口電路包括一個(gè)單通道發(fā)射機(jī)、一個(gè) 8×32 位緩沖區(qū)、兩個(gè)獨(dú)立接收通道以及一個(gè)主機(jī)可編程控制寄存器,用于選擇操作選項(xiàng)。

訂購(gòu)信息
| DEI PART NUMBER(2) | MARKING(1) | PACKAGE See Table 10 | TEMP RANGE | PROCESSING See Table 9 | |
| DEI1016 | DEI1016 | 40 SBDIP | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN 100%TEST | |
| DEI1016-DMB | DEI1016-DMB | 40 SBDIP | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN SAMPLE TEST | |
| DEI1016A | DEI1016A | 44 PQFP | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016A-G | DEI1016AE3 | (1) | 44 PQFPG | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD |
| DEI1016B | DEI1016B | 44 PLCC | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016B-G | DEI1016B E3 (1) | 44 PLCC G | 55/+85℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-QMS | DEI1016-QMS | 44 PQFP | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-QMS-G | DEI1016-QMS E3 (1) | 44 PQFPG | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-PMS | DEI1016-PMS | 44 PLCC | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-PMS-G | DEI1016-PMS E3 (1) | 44 PLCC G | 55/+125℃ | PLASTIC STANDARD | |
| DEI1016-EES | DEI1016-EES | 44 CLCC | 55/+85℃ | CERAMIC SAMPLE TEST | |
| DEI1016-EMS | DEI1016-EMS | 44 CLCC | -55/+125℃ | CERAMIC SAMPLE TEST | |
| DEI1016-EMB | DEI1016-EMB | 44 CLCC | 55/+125℃ | CERAMIC BURN-IN SAMPLE TEST | |
核心特性:
雙接收器+單發(fā)射器:獨(dú)立雙通道接收,單通道發(fā)射。
多協(xié)議支持:兼容ARINC 429/571/575/706協(xié)議。
可配置字長(zhǎng):支持25位或32位數(shù)據(jù)格式(通過(guò)控制寄存器配置)。
自檢模式:內(nèi)置回環(huán)測(cè)試(Wrap-around Self-Test),無(wú)需外部連接。
低功耗設(shè)計(jì):采用CMOS工藝,典型電源電流5mA(1MHz時(shí)鐘)。
寬溫工作:
擴(kuò)展級(jí):-55°C至+85°C
軍用級(jí):-55°C至+125°C
封裝選項(xiàng):QFP、PLCC、LCC、CDIP(44引腳或40引腳)。
關(guān)鍵功能模塊
1、接收器(雙通道)
輸入特性:
差分輸入范圍:±10V(邏輯1/0),共模電壓容限±5V。
輸入阻抗:12kΩ(差分/對(duì)地/對(duì)電源)。
數(shù)據(jù)處理:
支持源/目標(biāo)地址碼校驗(yàn)(SDENB控制位)。
自動(dòng)奇偶校驗(yàn)生成與檢查(可配置奇偶或數(shù)據(jù)位)。
數(shù)據(jù)訪問(wèn)需順序讀取(Word 1和Word 2)。
2、發(fā)射器
緩沖設(shè)計(jì):8×32位FIFO,支持塊傳輸。
輸出特性:
TTL電平輸出(DO(A)/DO(B)),返回零格式。
數(shù)據(jù)速率:100kbps(高速)或12.5kbps(低速)。
3、控制寄存器
16位配置選項(xiàng):
字長(zhǎng)選擇(WLSEL)、數(shù)據(jù)速率(TXSEL/RCVSEL)。
奇偶校驗(yàn)使能(PAREN)、自檢模式(SLFTST)。
源/目標(biāo)地址碼校驗(yàn)(SDENB1/SDENB2)。
電氣特性
電源電壓(VDD):-0.5~+7.0V
輸入電壓(DI引腳):±29V
存儲(chǔ)溫度:-65+150°C
輸入低電平(VIL):≤0.8V,高電平(VIH):≥2.0V
輸出驅(qū)動(dòng)能力:20mA(CMOS)/6mA(TTL)
時(shí)鐘要求:1MHz外部時(shí)鐘(±1%精度)
應(yīng)用場(chǎng)景
航空電子系統(tǒng):航電數(shù)據(jù)總線、飛行控制、導(dǎo)航設(shè)備。
典型連接:
發(fā)射端:需外接ARINC 429線驅(qū)動(dòng)器(如DEI系列驅(qū)動(dòng)IC)。
接收端:直接連接ARINC總線,無(wú)需外部元件。
深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司,優(yōu)勢(shì)提供DEI高端芯片訂貨渠道,部分備有現(xiàn)貨庫(kù)存。
推薦資訊
VY1222M47Y5UQ6TV0是一款由VISHAY生產(chǎn)的高頻陶瓷圓片電容器,電容值0.0022uF,公差±20%,采用徑向端接,引線直徑0.6毫米,間距10毫米。設(shè)計(jì)由兩面鍍銀的陶瓷盤組成,連接引線為鍍錫銅包鋼,封裝為阻燃環(huán)氧樹(shù)脂,符合UL 94 V-o標(biāo)準(zhǔn)。符合IEC 60384-14標(biāo)準(zhǔn),適用于X1和Y1類安全電容器,主要用于行對(duì)行濾波、線路對(duì)地濾波、主輔耦合、EMI/RFI抑制和濾波等。
晶圓是制造半導(dǎo)體器件的基本原料。經(jīng)過(guò)60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展,晶圓材料已經(jīng)形成了以硅為主體、半導(dǎo)體新材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)格局。高純度半導(dǎo)體是通過(guò)拉伸和切片的方法制成晶圓的。晶圓經(jīng)過(guò)一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu),再經(jīng)過(guò)切割、封裝、測(cè)試等工序制成芯片,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。
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