日韩欧美在线视频-日韩欧美国产高清91-美女搞黄网站-日本在线精品-国产精品视频大全-四虎亚洲精品-欧美性区-精品福利在线视频-在线看的免费网站-思思99精品视频在线观看-黄色av免费在线看-性欧美xxxx16少妇-美女久久久久久久久久久-海角首页-91看片一区

Linear Systems 2N4351 N通道增強型MOSFET

發布時間：2025-03-31 09:11:10     瀏覽：1613

Linear Systems 2N4351 N通道增強型MOSFET

　　產品名稱

　　2N4351 N-通道增強型 MOSFET

　　訂購型號：

　　2N4351 TO-72 4L RoHS

　　2N4352 TO-72 4L RoHS

　　2N4351 Die

　　2N4352 Die

　　產品特點

　　直接替代 Intersil 2N4351：兼容 Intersil 的 2N4351 產品。

　　高漏極電流：最大漏極電流(ID)為 20mA。

　　高跨導增益：跨導增益(gfs)為 1000μS。

　　低導通電阻：漏極到源極導通電阻(rds(on))為 300Ω。

　　低漏電流：漏極泄漏電流(IDSS)為 10nA。

　　快速開關特性：

　　開啟延遲時間(td(on))：最大 45ns。

　　開啟上升時間(tr)：最大 65ns。

　　關閉延遲時間(td(off))：最大 60ns。

　　關閉下降時間(tf)：最大 100ns。

　　絕對最大額定值(25°C 時)

符號特性最小值典型值最大值單位條件
BVDSS漏極到源極擊穿電壓-25-VID = 10μA, VGS = 0V
VDS(on)漏極到源極導通電壓-1-VID = 2mA, VGS = 10V
VGS(th)柵極到源極閾值電壓1-5VVDS = 10V, ID = 10μA
IGSS柵極漏電流--±10pAVGS = ±30V, VDS = 0V
IDSS漏極泄漏電流（關閉狀態）--10nAVDS = 10V, VGS = 0V
ID(on)漏極電流（導通狀態）-3-mAVGS = 10V, VDS = 10V
gfs正向跨導增益-1000-μSVDS = 10V, ID = 2mA, f = 1kHz
rds(on)漏極到源極導通電阻-300-ΩVGS = 10V, ID = 100μA, f = 1kHz
Crss反向傳輸電容-1.3-pFVDS = 0V, VGS = 0V, f = 140kHz
Ciss輸入電容-5-pFVDS = 10V, VGS = 0V, f = 140kHz
Cdb漏極到體極電容-5-pFVDB = 10V, f = 140kHz


　　溫度范圍：

　　存儲溫度：-55°C 至 +150°C。

　　工作結溫：-55°C 至 +150°C。

　　最大功耗：

　　連續功耗：350mW(環境溫度 25°C)。

　　最大電流：

　　漏極到源極電流：20mA。

　　最大電壓：

　　漏極到體極電壓：25V。

　　漏極到源極電壓：25V。

　　柵極到源極電壓：±30V。

　　電氣特性(25°C 時)

　　封裝

　　封裝類型：TO-72 4 引腳封裝。

　　應用場景

　　2N4351 是一款高性能的 N-通道增強型 MOSFET，適用于以下場景：

　　開關電源：高效率的開關元件。

　　信號處理電路：低導通電阻和快速開關特性使其適合高頻信號處理。

　　模擬開關：低漏電流和高跨導增益使其適合高精度模擬電路。

　　保護電路：快速開關特性可用于過流保護和短路保護。

相關推薦：

JFET雙通道放大器Linear Systems 

JFET單通道放大器Linear Systems 

立維創展優勢代理Linear Systems產品，價格優惠，歡迎咨詢。


推薦資訊

  • QTCC356晶體振蕩器Q-TECH
    QTCC356晶體振蕩器Q-TECH 2022-11-04 17:07:55

    Q-Tech?的表面貼裝技術QTCC356振蕩器包含一種3.3Vdc、2.5Vdc和1.8Vdc的IC，以及一個內置于攜帶鍍金接觸墊的超薄型陶瓷封裝中的小型條型AT石英諧振器。

  • Vishay BC04108208DXAA,BC06129189DXXA,BC08208408DXBA表面貼裝多層陶瓷芯片電容器
    Vishay BC04108208DXAA,BC06129189DXXA,BC08208408DXBA表面貼裝多層陶瓷芯片電容器 2025-11-06 09:45:04

    VishayBC04108208DXAA,BC06129189DXXA,BC08208408DXBA電容器具有寬溫工作范圍（-55°C至+125°C）和高電壓耐受能力（25-500VDC），在1kHz/1VRMS條件下損耗因數≤3.5%，絕緣電阻達100000MΩ（25°C）或1000MΩ（125°C），適用于5G基站、射頻測試儀器及高速數據鏈路等高頻應用場景。

在線留言

在線留言