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C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon

發(fā)布時間:2024-11-29 08:54:42     瀏覽:2316

C4H2350N10 - 10W GaN封裝功率晶體管Ampleon

  C4H2350N10是Ampleon一款專為基站應用設計的10瓦特GaN(氮化鎵)功率晶體管,適用于2.3-2.7 GHz頻段的移動寬帶應用。

  產(chǎn)品特點:

  數(shù)字預失真能力:該晶體管具有出色的數(shù)字預失真能力,有助于提高信號質(zhì)量和系統(tǒng)性能。

  高效率:高效率設計有助于減少能量損耗,降低運行成本。

  寬帶操作:設計用于寬帶操作,使其能夠適應不同頻率范圍內(nèi)的應用需求。

  低輸出電容:較低的輸出電容有助于提高在各種應用中的性能。

  環(huán)保合規(guī):符合RoHS(限制有害物質(zhì)使用)標準,符合環(huán)保要求。

  應用領域:

  基站射頻功率放大器:適用于2300 MHz至5000 MHz頻率范圍內(nèi)的基站射頻功率放大器。

  多載波應用:也適用于同一頻率范圍內(nèi)的多載波應用。

  技術參數(shù):

  頻率范圍:2300 MHz至5000 MHz。

  3dB增益壓縮下的標稱輸出功率:10W。

  漏源電壓(VDS):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為50V。

  功率增益(Gp):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為18.9dB。

  漏效率(ηD):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為15.5%。

  平均輸出功率(PL(AV)):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為27dBm。

  靜態(tài)漏源電流(IDq):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為10mA。

  鄰道功率比(ACPR):在2496 MHz至2690 MHz頻率下,標稱值為-36.3dBc。

 Ampleon是一家全球領先的射頻和功率半導體解決方案提供商,提供包括射頻功率放大器、收發(fā)器、射頻開關、驅(qū)動電路和功率控制器等在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品線,適用于4G LTE、5G NR基礎設施、廣播、工業(yè)等多個領域,深圳市立維創(chuàng)展科技有限公司優(yōu)勢分銷Ampleon產(chǎn)品線,歡迎咨詢了解。

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