Infineon英飛凌IRF3205PBF單N溝道功率MOSFET
發布時間:2024-07-30 09:10:16 瀏覽:3087
IRF3205PBF是一款單N溝道功率MOSFET,屬于IR (現被Infineon收購)MOSFET系列,采用TO-220封裝,最大耐壓為55V。該器件采用成熟的硅工藝,為設計人員提供了廣泛的器件組合,以支持各種應用,如直流電機、逆變器、開關電源(SMPS)、照明、負載開關以及電池供電應用。這些器件采用各種表面貼裝和通孔封裝,具有行業標準封裝,便于設計。
特征描述
平面單元結構:適用于寬安全工作區(SOA)。
廣泛可用性:針對分銷合作伙伴提供的最廣泛可用性進行了優化。
產品認證:符合JEDEC標準。
硅優化:針對開關頻率低于100kHz的應用進行了優化。
行業標準通孔功率套件。
高電流額定值。
優勢
提高堅固性。
廣泛可用性:來自分銷合作伙伴。
行業標準資質。
在低頻應用中具有高性能。
標準引腳排列:允許直接替換。
高電流能力:最大電流ID (@25°C)為110A。
技術參數
封裝:TO-220。
極性:N溝道。
總柵極電荷(QG):典型值為97.3 nC(@10V)。
柵源電荷(Qgd):36 nC。
導通電阻(RDS(on)):最大值為8 mΩ(@10V)。
熱阻(RthJC):最大值為1 K/W。
工作溫度:最小-55°C,最大175°C。
總功率耗散(Ptot):最大150W。
最大結溫(Tj):175°C。
最大漏源電壓(VDS):55V。
柵源電壓(VGS):最大20V。
閾值電壓(VGS(th)):最小3V,最大4V。
深圳市立維創展科技有限公司,優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線,快速交付,歡迎聯系。
推薦資訊
Semelab RF VDMOS功率MOSFET采用硅垂直DMOS與金金屬化工藝,1 MHz–1 GHz超寬帶、750 mW–400 W全功率段覆蓋,VHF增益20 dB、UHF 16 dB,可承受20:1 VSWR,12.5 V/28 V/50 V多電壓選項,全系列RoHS合規,提供鉆石增強封裝,廣泛應用于通信基站、國防干擾機、醫療及EMC測試等高可靠性場景。
英飛凌高功率 MOSFET 精選產品組合提供簡單且具有價格競爭力的解決方案,這些解決方案應用廣泛并且質量可靠。通用高功率MOSFET產品組合涵蓋 500 V 至 900 V 的電壓等級以及 RDS(on) 值在 180 m? 到 3400 m? 之間的多種型號器件,產品組合支持 10 余種不同封裝,例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引線)等多種類型。
在線留言