日韩欧美在线视频-日韩欧美国产高清91-美女搞黄网站-日本在线精品-国产精品视频大全-四虎亚洲精品-欧美性区-精品福利在线视频-在线看的免费网站-思思99精品视频在线观看-黄色av免费在线看-性欧美xxxx16少妇-美女久久久久久久久久久-海角首页-91看片一区

Infineon英飛凌高功率600V/650V碳化硅二極管

發布時間:2023-12-11 09:48:31     瀏覽:4043

  Infineon是一家知名的半導體公司,而碳化硅(SiC)二極管是一種高功率的半導體器件。英飛凌公司生產的600V和650V碳化硅二極管,面向18kHz和100kHz開關頻率區間高效應用,能提供更高的開關速度和更低的開關損耗。

  碳化硅具有較高的電子飽和漂移速度和熱導率,并且能夠在高溫環境下工作。這使得碳化硅二極管可以在高頻率開關和高溫條件下實現更高的效率和性能。Infineon的碳化硅二極管產品具有低導通和開關損耗、高溫穩定性、低開關噪聲和更高的功率密度。他們廣泛應用于電力轉換、電動汽車、可再生能源和工業領域等高功率應用中。

  在使用Infineon的碳化硅二極管之前,建議您詳細了解產品規格和特性以確保其適用于您的具體應用需求,也可以咨詢立維創展

Infineon英飛凌高功率600V/650V碳化硅二極管

產品選型

600 V / 1200 V 超軟:

IDP12E120IDW50E60IDB18E120IDP45E60
IDB30E120IDW75E60IDB30E60IDP15E60
IDP30E120IDW100E60IDB15E60IDP30E60
IDP18E120IDW30E60

 

650V Rapid 1和Rapid 2二極管:

IDWD120E65E7IDW30E65D1IDW80C65D1IDP40E65D2
IDWD100E65E7IDP15E65D1IDW30C65D1IDP15E65D2
IDWD150E65E7IDW40E65D1IDFW40E65D1EIDP30E65D2
IDWD50E65E7IDP08E65D1IDFW60C65D1IDP30C65D2
IDWD20E65E7IDV20E65D1IDV08E65D2IDP20C65D2
IDWD40E65E7IDP30E65D1IDW15E65D2IDV30E65D2
IDWD30E65E7IDFW80C65D1IDP08E65D2IDP20E65D2
IDWD75E65E7IDW60C65D1IDV15E65D2IDW80C65D2
IDWD60E65E7IDW75D65D1IDW40E65D2IDW20C65D2



IDW30C65D2

  英飛凌650V Rapid 1及Rapid 2功率二極管是對600V與650V區間高功率二極管產品序列的補充,填補了碳化硅(SiC)二極管和發射極控制二極管之間的空白,是面向超快速和極快速功率二極管市場的優秀產品。全新的極速和超高速二極管系列產品為客戶提供無與倫比的效率、可靠性及性價比。額外的50V確保了更高的可靠性。

  650V Rapid 1二極管

  英飛凌的Rapid 1二極管系列擁有溫度特性穩定的1.35V正向電壓 (VF),確保導通損耗最低并且通過軟恢復的方式使EMI輻射降至最小。該器件非常適用于功率因數校正(PFC)的拓撲結構,該結構常見于家用電器,比如空調和洗衣機。

  650V Rapid 2二極管

  Rapid 2二極管系列專門針對頻率介于40kHz和100kHz區間的應用設計,提供最低的反向恢復電荷(Qrr)和反向恢復時間(trr),最大限度地縮短導致功率開關導通損耗的反向導通時間,從而使效率達到最高。

深圳市立維創展科技有限公司公司,優勢分銷Infineon英飛凌部分產品線,快速交付,歡迎聯系。

推薦資訊

  • Wi2Wi(PDI)TCXO、VCXO、OCXO晶振-精密頻率控制專家
    Wi2Wi(PDI)TCXO、VCXO、OCXO晶振-精密頻率控制專家 2025-08-19 09:13:10

    Wi2Wi公司收購PDI后成為專業定時/頻率控制設備供應商,面向軍工、航天及工業市場,提供晶體、振蕩器(TCXO/VCXO/OCXO)、濾波器等全系列產品。其ISO 9001認證工廠生產符合MIL標準的核心器件,具備-55℃~125℃寬溫工作能力,支持THT/SMD封裝及快速定制(最快2天交付),并通過內部實驗室嚴苛可靠性驗證,頻率覆蓋10MHz-1450MHz。

  • Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET
    Linear Systems 3N165/3N166單片雙P通道MOSFET 2024-08-05 09:13:13

    Linear Systems 3N165和3N166單片雙P通道MOSFET,具有高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、超低泄漏電流和低電容特性,適用于模擬信號處理、精密測量儀器和高電壓操作。提供SOIC和TO-99封裝,滿足不同設計和生產需求。

在線留言

在線留言